FDZ3N513ZT - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1

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MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
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Spécifications pour FDZ3N513ZT

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDZ3N513ZT
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : +5.5V, -0.3V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 85pF @ 15V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) : 1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 4-WLCSP (0.96x0.96)
Paquet / caisse : 4-UFBGA, WLCSP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDZ , FDZ3N

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