FDZ3N513ZT - MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDZ3N513ZT
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
10808 Pieces
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Spécifications pour FDZ3N513ZT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDZ3N513ZT
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 30V WLCSP 1X1
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
1.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
3.2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
462 mOhm @ 300mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
1nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
+5.5V, -0.3V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
85pF @ 15V
Caractéristique FET :
Schottky Diode (Body)
Dissipation de puissance (max) :
1W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 125°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
4-WLCSP (0.96x0.96)
Paquet / caisse :
4-UFBGA, WLCSP
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDZ3N513ZT
Feuilles de données :
FDZ3N513ZT.pdf
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