EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR - IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
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Spécifications pour EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR
Fabricant : Micron Technology Inc.
La description : IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile LPDDR2
Taille mémoire : 4Gb (128M x 32)
Fréquence d'horloge : 533MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : -
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.14V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 125°C (TC)
Type de montage : -
Paquet / caisse : -
Package d'appareils du fournisseur : -
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : EDB4432B , EDB4432BBBJ-

Documents pour EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR

Feuilles de données : EDB4432BBBJ-1DAUT-F-R TR.pdf

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