TK50P04M1(T6RSS-Q) - MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
1300350 Pieces
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Spécifications pour TK50P04M1(T6RSS-Q)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
TK50P04M1(T6RSS-Q)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 40V 50A DP TO252-3
Séries :
U-MOSVI-H
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
50A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.3V @ 500µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
60W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DP
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour TK50P04M1(T6RSS-Q)
Feuilles de données :
TK50P04M1(T6RSS-Q).pdf
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