SIZ902DT-T1-GE3 - MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
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MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SIZ902DT-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SIZ902DT-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 13.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 21nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 790pF @ 15V
Puissance - Max : 29W, 66W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Package d'appareils du fournisseur : 8-PowerPair® (6x5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SIZ902DT-T1-GE3
Feuilles de données : SIZ902DT-T1-GE3.pdf
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