SQP120N10-3M8_GE3 - MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Référence fabricant

SQP120N10-3M8_GE3

Numéro de pièce interne

AX-SQP120N10-3M8_GE3

Fabricant

Vishay Siliconix

Brève description

MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour SQP120N10-3M8_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : SQP120N10-3M8_GE3

Fabricant : Vishay Siliconix

La description : MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Séries : -

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 100V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 190nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7230pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 250W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)

Type de montage : Through Hole

Package d'appareils du fournisseur : TO-220AB

Paquet / caisse : TO-220-3

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : SQP12 , SQP120N1

Documents pour SQP120N10-3M8_GE3

Feuilles de données : SQP120N10-3M8_GE3.pdf

Produits associés pour SQP120N10-3M8_GE3 Vishay Siliconix

Numéro d'article	Marque	La description
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WF110250WJ50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 14KV SCREW.
TF170311WW40236BJ2	Vishay Beyschlag	CAP CER 4000PF 32KV R85.
PEF220WH10336BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK.
PEF220BJ70238BK1	Vishay Beyschlag	CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.
WF135250WL50236BJ1	Vishay Beyschlag	CAP CER 5000PF 16KV SCREW.