S4PKHM3_A/I - DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-S4PKHM3_A/I
Fabricant
Brève description
DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour S4PKHM3_A/I
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : S4PKHM3_A/I
Fabricant : Vishay Semiconductor Diodes Division
La description : DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A
Séries : Automotive, AEC-Q101, eSMP®
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 800V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 4A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.1V @ 4A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 2.5µs
Courant - Fuite inverse @ Vr : 10µA @ 800V
Capacité @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : TO-277, 3-PowerDFN
Package d'appareils du fournisseur : TO-277A (SMPC)
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 150°C
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour S4PKHM3_A/I
Feuilles de données : S4PKHM3_A/I.pdf
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