BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
SIC POWER MODULE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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9097 Pieces
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Spécifications pour BSM180D12P3C007
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
BSM180D12P3C007
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
SIC POWER MODULE
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) :
1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (Max) @ Id :
5.6V @ 50mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
900pF @ 10V
Puissance - Max :
880W
Température de fonctionnement :
175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
Module
Package d'appareils du fournisseur :
Module
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour BSM180D12P3C007
Feuilles de données :
BSM180D12P3C007.pdf
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EPCOS (TDK) |
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Vishay Beyschlag |
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