BSM180D12P3C007 - SIC POWER MODULE

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Fabricant
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SIC POWER MODULE
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BSM180D12P3C007

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSM180D12P3C007
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : SIC POWER MODULE
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Silicon Carbide (SiC)
Drain à la tension source (Vdss) : 1200V (1.2kV)
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 50mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 900pF @ 10V
Puissance - Max : 880W
Température de fonctionnement : 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : Module
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSM18 , BSM180D

Documents pour BSM180D12P3C007

Feuilles de données : BSM180D12P3C007.pdf

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