QS6J11TR - MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6

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MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour QS6J11TR

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : QS6J11TR
Fabricant : Rohm Semiconductor
La description : MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 P-Channel (Dual)
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 770pF @ 6V
Puissance - Max : 600mW
Température de fonctionnement : 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : TSMT6 (SC-95)
Poids : -
État : Nouveau et original
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