K4FHE3D4HM-MHCJ - 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Spécifications pour K4FHE3D4HM-MHCJ
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : K4FHE3D4HM-MHCJ
Fabricant : Samsung Semiconductor
La description : 24 Gb x32 3733 Mbps 1.8 / 1.1 / 1.1 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Séries : DDR3
Densité : 24 Gb
Org. : x32
La vitesse : 3733 Mbps
Tension : 1.8 / 1.1 / 1.1 V
Temp. : -40 ~ 105 °C
Paquet : 200FBGA
État du produit : Mass Production
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour K4FHE3D4HM-MHCJ
Feuilles de données : K4FHE3D4HM-MHCJ.pdf
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