IRF6645 - MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IRF6645
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
10312 Pieces
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Spécifications pour IRF6645
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
IRF6645
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-SJ
Séries :
HEXFET®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
5.7A (Ta), 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
35 mOhm @ 5.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
20nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3W (Ta), 42W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DIRECTFET™ SJ
Paquet / caisse :
DirectFET™ Isometric SJ
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour IRF6645
Feuilles de données :
IRF6645.pdf
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CAP CER 3000PF 50V BP 1210. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 3.3PF 50V C0G/NP0 0603. |
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