FDMQ8203 - MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDMQ8203
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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Spécifications pour FDMQ8203
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDMQ8203
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Séries :
GreenBridge™ PowerTrench®
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
100V, 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.4A, 2.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
110 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
5nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
210pF @ 50V
Puissance - Max :
2.5W
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
12-WDFN Exposed Pad
Package d'appareils du fournisseur :
12-MLP (5x4.5)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDMQ8203
Feuilles de données :
FDMQ8203.pdf
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