DMN2013UFDE-7 - MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN

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MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
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Spécifications pour DMN2013UFDE-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN2013UFDE-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 10.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25.8nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2453pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 660mW (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : U-DFN2020-6 (Type E)
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN2 , DMN201

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Feuilles de données : DMN2013UFDE-7.pdf

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