BSZ180P03NS3GATMA1 - MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8

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MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
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Spécifications pour BSZ180P03NS3GATMA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9A (Ta), 39.6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.1V @ 48µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs (Max) : ±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2220pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 2.1W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PG-TSDSON-8
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSZ180 , BSZ180P03

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Feuilles de données : BSZ180P03NS3GATMA1.pdf

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