FDMJ1027P - MOSFET P-CH 20V 3.2A

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MOSFET P-CH 20V 3.2A
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Spécifications pour FDMJ1027P

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDMJ1027P
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 3.2A
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : -
Vgs (Max) : -
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-MicroFET (2x2)
Paquet / caisse : 6-VDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDM , FDMJ

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