RFD3055LE - MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-RFD3055LE
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour RFD3055LE
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : RFD3055LE
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 60V 11A I-PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 107 mOhm @ 8A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 11.3nC @ 10V
Vgs (Max) : ±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 38W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : I-PAK
Paquet / caisse : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour RFD3055LE
Feuilles de données : RFD3055LE.pdf
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