IPB03N03LB G - MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-IPB03N03LB G
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IPB03N03LB G
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPB03N03LB G
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.8 mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 59nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 7624pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 150W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IPB03N03LB G
Feuilles de données : IPB03N03LB G.pdf
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