FCD4N60TM_WS - MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FCD4N60TM_WS
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour FCD4N60TM_WS
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FCD4N60TM_WS
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET N-CH 600V 3.9A DPAK
Séries : SuperFET™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 16.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 540pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 50W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D-Pak
Paquet / caisse : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour FCD4N60TM_WS
Feuilles de données : FCD4N60TM_WS.pdf
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