AS4C32M16MD1-5BIN - IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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58128 Pieces
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Spécifications pour AS4C32M16MD1-5BIN
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AS4C32M16MD1-5BIN
Fabricant :
Alliance Memory, Inc.
La description :
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
Séries :
-
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - Mobile LPDDR
Taille mémoire :
512Mb (32M x 16)
Fréquence d'horloge :
200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
15ns
Temps d'accès :
700ps
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 85°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
60-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur :
60-FBGA (8x9)
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AS4C32M16MD1-5BIN
Feuilles de données :
AS4C32M16MD1-5BIN.pdf
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 8800PF 10KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 16KV DISK. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 1000PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 2500PF 25KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 100PF 30KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 18KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 1000PF 100V BP 1206. |
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AVX Corporation |
CAP CER 0.022UF 50V X7R 1206. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 25KV SCREW. |
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Vishay Vitramon |
CAP CER 10PF 100V BP 0805. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 5000PF 25KV R85. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 10KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Murata Electronics North America |
CAP CER 5.9PF 50V NP0 0201. |