BTS282Z E3230 - MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
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MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BTS282Z E3230
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BTS282Z E3230
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Séries : TEMPFET®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 49V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.5 mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 240µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 232nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 4800pF @ 25V
Caractéristique FET : Temperature Sensing Diode
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : P-TO220-7-230
Paquet / caisse : TO-220-7
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour BTS282Z E3230
Feuilles de données : BTS282Z E3230.pdf
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