AS4C8M16D1A-5TCN - IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II

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IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C8M16D1A-5TCN

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C8M16D1A-5TCN
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR
Taille mémoire : 128Mb (8M x 16)
Fréquence d'horloge : 200MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : 15ns
Temps d'accès : 700ps
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 2.3V ~ 2.7V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur : 66-TSOP II
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : AS4C8 , AS4C8M16

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Feuilles de données : AS4C8M16D1A-5TCN.pdf

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CAP CER 10000PF 16KV SCREW.

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CAP CER 5.6PF 25V C0G/NP0 01005.

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CAP CER 4000PF 32KV R85.

WX095162WJ25236BJ1

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CAP CER 2500PF 14KV SCREW.

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Murata Electronics North America

CAP CER 8.1PF 25V NP0 0402.

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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

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CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK.

TF170279BQ50236BJ1

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CAP CER 5000PF 25KV R85.

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CAP CER 7500PF 22.5KV SCREW.

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CAP CER 50PF 30KV AXIAL.

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CAP CER 5000PF 20KV.

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CAP CER 2500PF 25KV SCREW.