MMIX1F230N20T - MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
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MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour MMIX1F230N20T
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : MMIX1F230N20T
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 200V 168A SMPD
Séries : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 168A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 378nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 28000pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 600W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 24-SMPD
Paquet / caisse : 24-PowerSMD, 21 Leads
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour MMIX1F230N20T
Feuilles de données : MMIX1F230N20T.pdf
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