SSM3K116TU,LF - MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
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Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SSM3K116TU,LF
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SSM3K116TU,LF
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
MOSFET N-CH 30V 2.2A UFM
Séries :
U-MOSIII
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
2.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.1V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
-
Vgs (Max) :
±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
245pF @ 10V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
500mW (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
UFM
Paquet / caisse :
3-SMD, Flat Leads
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SSM3K116TU,LF
Feuilles de données :
SSM3K116TU,LF.pdf
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