R6020ENZ1C9 - MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-R6020ENZ1C9
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
121140 Pieces
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Spécifications pour R6020ENZ1C9
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
R6020ENZ1C9
Fabricant :
Rohm Semiconductor
La description :
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
196 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
1400pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
120W (Tc)
Température de fonctionnement :
150°C (TJ)
Type de montage :
Through Hole
Package d'appareils du fournisseur :
TO-247
Paquet / caisse :
TO-247-3
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour R6020ENZ1C9
Feuilles de données :
R6020ENZ1C9.pdf
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