CSD17581Q5AT - 30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-CSD17581Q5AT
Fabricant
Brève description
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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793735 Pieces
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Spécifications pour CSD17581Q5AT
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
CSD17581Q5AT
Fabricant :
Texas Instruments
La description :
30V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFE
Séries :
NexFET™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
24A (Ta), 123A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.4 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1.7V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
54nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
3640pF @ 15V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
3.1W (Ta), 83W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
8-VSONP (5x6)
Paquet / caisse :
8-PowerTDFN
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour CSD17581Q5AT
Feuilles de données :
CSD17581Q5AT.pdf
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