IS49NLS18160-33B - IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
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Brève description
IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IS49NLS18160-33B
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IS49NLS18160-33B
Fabricant : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
La description : IC DRAM 288M PARALLEL 144FCBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : DRAM
Taille mémoire : 288Mb (16M x 18)
Fréquence d'horloge : 300MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.9V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 144-TFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 144-FCBGA (11x18.5)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour IS49NLS18160-33B
Feuilles de données : IS49NLS18160-33B.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 6000PF 20KV R230 DISK. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 7000PF 15KV R230 DISK. | ||
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 1000PF 14KV SCREW. | ||
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