SQJ204EP-T1_GE3 - MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
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MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SQJ204EP-T1_GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQJ204EP-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET DUAL N-CH 12V PPAK SO-8L
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Caractéristique FET : Standard
Drain à la tension source (Vdss) : 12V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 20A (Tc), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.3 mOhm @ 4A, 10V, 3 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 10V, 50nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1400pF @ 6V, 3700pF @ 6V
Puissance - Max : 27W (Tc), 48W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : PowerPAK® SO-8 Dual
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SQJ204EP-T1_GE3
Feuilles de données : SQJ204EP-T1_GE3.pdf
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