STD6N65M2 - MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-STD6N65M2
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
594045 Pieces
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Spécifications pour STD6N65M2
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
STD6N65M2
Fabricant :
STMicroelectronics
La description :
MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
Séries :
MDmesh™
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.35 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
9.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
226pF @ 100V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
60W (Tc)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
DPAK
Paquet / caisse :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour STD6N65M2
Feuilles de données :
STD6N65M2.pdf
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