AS4C64M4SA-7TCN - IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
135385 Pieces
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Spécifications pour AS4C64M4SA-7TCN
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
AS4C64M4SA-7TCN
Fabricant :
Alliance Memory, Inc.
La description :
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de mémoire :
Volatile
Format de mémoire :
DRAM
La technologie :
SDRAM - DDR
Taille mémoire :
256Mb (64M x 4)
Fréquence d'horloge :
143MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page :
-
Temps d'accès :
5.5ns
Interface mémoire :
Parallel
Tension - Alimentation :
3V ~ 3.6V
Température de fonctionnement :
0°C ~ 70°C (TA)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
54-TSOP II
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour AS4C64M4SA-7TCN
Feuilles de données :
AS4C64M4SA-7TCN.pdf
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CAP CER 5000PF 20KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 3000PF 10KV. |
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CAP CER 5000PF 12KV SCREW. |
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CAP CER 4700PF 14KV SCREW. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 50PF 30KV AXIAL. |
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Vishay Beyschlag |
CAP CER 10000PF 16KV SCREW. |
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