W632GG6MB-11 TR - IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
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Brève description
IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour W632GG6MB-11 TR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : W632GG6MB-11 TR
Fabricant : Winbond Electronics
La description : IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - DDR3
Taille mémoire : 2Gb (128M x 16)
Fréquence d'horloge : 933MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 20ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.425V ~ 1.575V
Température de fonctionnement : 0°C ~ 95°C (TC)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 96-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 96-VFBGA (7.5x13)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour W632GG6MB-11 TR
Feuilles de données : W632GG6MB-11 TR.pdf
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