PMFPB8040XP,115 - MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour PMFPB8040XP,115
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : PMFPB8040XP,115
Fabricant : Nexperia USA Inc.
La description : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
Séries : -
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 550pF @ 10V
Caractéristique FET : Schottky Diode (Isolated)
Dissipation de puissance (max) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 6-HUSON-EP (2x2)
Paquet / caisse : 6-UDFN Exposed Pad
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour PMFPB8040XP,115
Feuilles de données : PMFPB8040XP,115.pdf
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