SQA470EEJ-T1_GE3 - MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70

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MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70
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Spécifications pour SQA470EEJ-T1_GE3

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SQA470EEJ-T1_GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N-CHAN 30V POWERPAK SC-70
Séries : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 5.2nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 453pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 13.6W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquet / caisse : PowerPAK® SC-70-6
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : SQA47 , SQA470EE

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Feuilles de données : SQA470EEJ-T1_GE3.pdf

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