GB2X100MPS12-227 - SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
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Brève description
SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour GB2X100MPS12-227
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : GB2X100MPS12-227
Fabricant : GeneSiC Semiconductor
La description : SIC DIODE 1200V 200A SOT-227
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 2 Independent
Type de diode : Silicon Carbide Schottky
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : 185A (DC)
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1.8V @ 100A
La vitesse : No Recovery Time > 500mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : 0ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 80µA @ 1200V
Température de fonctionnement - Jonction : -55°C ~ 175°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : SOT-227-4, miniBLOC
Package d'appareils du fournisseur : SOT-227
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour GB2X100MPS12-227
Feuilles de données : GB2X100MPS12-227.pdf
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