AS4C16M16MSA-6BINTR - IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
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Brève description
IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour AS4C16M16MSA-6BINTR
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : AS4C16M16MSA-6BINTR
Fabricant : Alliance Memory, Inc.
La description : IC DRAM 256M PARALLEL 54FBGA
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de mémoire : Volatile
Format de mémoire : DRAM
La technologie : SDRAM - Mobile SDRAM
Taille mémoire : 256Mb (16M x 16)
Fréquence d'horloge : 166MHz
Ecrire le temps de cycle - Word, Page : -
Temps d'accès : 5.5ns
Interface mémoire : Parallel
Tension - Alimentation : 1.7V ~ 1.95V
Température de fonctionnement : -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 54-VFBGA
Package d'appareils du fournisseur : 54-FBGA (8x8)
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour AS4C16M16MSA-6BINTR
Feuilles de données : AS4C16M16MSA-6BINTR.pdf
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