1N4150-1 - DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour 1N4150-1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : 1N4150-1
Fabricant : Microsemi Corporation
La description : DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 50V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) : 200mA
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 1V @ 200mA
La vitesse : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Temps de récupération inverse (trr) : 4ns
Courant - Fuite inverse @ Vr : 100nA @ 50V
Capacité @ Vr, F : -
Type de montage : Through Hole
Paquet / caisse : DO-204AH, DO-35, Axial
Package d'appareils du fournisseur : DO-35
Température de fonctionnement - Jonction : -65°C ~ 175°C
Poids : -
État : Nouveau et original
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