TSM110NB04LCR RLG - MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
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MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour TSM110NB04LCR RLG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : TSM110NB04LCR RLG
Fabricant : Taiwan Semiconductor Corporation
La description : MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 12A (Ta), 54A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1269pF @ 20V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 3.1W (Ta), 68W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : 8-PDFN (5x6)
Paquet / caisse : 8-PowerTDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : TSM11 , TSM110NB

Documents pour TSM110NB04LCR RLG

Feuilles de données : TSM110NB04LCR RLG.pdf

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