FDS3812 - MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-FDS3812
Fabricant
Brève description
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
quantité disponible
26439 Pieces
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Spécifications pour FDS3812
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
FDS3812
Fabricant :
ON Semiconductor
La description :
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Séries :
PowerTrench®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET :
Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) :
80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
74 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
634pF @ 40V
Puissance - Max :
900mW
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur :
8-SOIC
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour FDS3812
Feuilles de données :
FDS3812.pdf
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