RN1706JE(TE85L,F) - TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
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Fabricant
Brève description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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820360 Pieces
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Spécifications pour RN1706JE(TE85L,F)
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
RN1706JE(TE85L,F)
Fabricant :
Toshiba Semiconductor and Storage
La description :
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Séries :
-
Statut de la pièce :
Discontinued at Digi-Key
Type de transistor :
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) :
100mA
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) :
50V
Résistance - Base (R1) :
4.7 kOhms
Résistance - Base de l'émetteur (R2) :
47 kOhms
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce :
80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure Collecteur (Max) :
100nA (ICBO)
Fréquence - Transition :
250MHz
Puissance - Max :
100mW
Type de montage :
Surface Mount
Paquet / caisse :
SOT-553
Package d'appareils du fournisseur :
ESV
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour RN1706JE(TE85L,F)
Feuilles de données :
RN1706JE(TE85L,F).pdf
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