STLD200N4F6AG - MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

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MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
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Spécifications pour STLD200N4F6AG

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : STLD200N4F6AG
Fabricant : STMicroelectronics
La description : MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
Séries : Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 6.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 172nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 10700pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 158W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : PowerFlat™ (5x6) Dual Side
Paquet / caisse : 8-PowerWDFN
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : STLD , STLD20

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Feuilles de données : STLD200N4F6AG.pdf

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