DMN1033UCB4-7 - MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4

Référence fabricant
Numéro de pièce interne
Brève description
MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DMN1033UCB4-7

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DMN1033UCB4-7
Fabricant : Diodes Incorporated
La description : MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : -
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 37nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 1.45W
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : 4-UFBGA, WLBGA
Package d'appareils du fournisseur : U-WLB1818-4
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : DMN1 , DMN103

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Feuilles de données : DMN1033UCB4-7.pdf

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