APTM100DA33T1G - MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
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Numéro de pièce interne
Fabricant
Brève description
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour APTM100DA33T1G
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
APTM100DA33T1G
Fabricant :
Microsemi Corporation
La description :
MOSFET N-CH 1000V 23A SP1
Séries :
-
Statut de la pièce :
Active
Type de FET :
N-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
396 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
305nC @ 10V
Vgs (Max) :
±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
7868pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
390W (Tc)
Température de fonctionnement :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage :
Chassis Mount
Package d'appareils du fournisseur :
SP1
Paquet / caisse :
SP1
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour APTM100DA33T1G
Feuilles de données :
APTM100DA33T1G.pdf
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