FDJ129P_F077 - MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6

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MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
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Spécifications pour FDJ129P_F077

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : FDJ129P_F077
Fabricant : ON Semiconductor
La description : MOSFET P-CH 20V 4.2A SC75-6
Séries : PowerTrench®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 4.2A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 70 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 780pF @ 10V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 1.6W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : SC75-6 FLMP
Paquet / caisse : SC75-6 FLMP
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : FDJ1 , FDJ129

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Feuilles de données : FDJ129P_F077.pdf

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