IPA60R280P6XKSA1 - MOSFET N-CH 600V TO220FP-3

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MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
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Spécifications pour IPA60R280P6XKSA1

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IPA60R280P6XKSA1
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 600V TO220FP-3
Séries : CoolMOS™ P6
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 13.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 430µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1190pF @ 100V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 32W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Through Hole
Package d'appareils du fournisseur : PG-TO220-FP
Paquet / caisse : TO-220-3 Full Pack
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IPA60 , IPA60R28

Documents pour IPA60R280P6XKSA1

Feuilles de données : IPA60R280P6XKSA1.pdf

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