BUK7Y25-80E/CX - MOSFET N-CH LFPAK

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MOSFET N-CH LFPAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour BUK7Y25-80E/CX

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BUK7Y25-80E/CX
Fabricant : NXP USA Inc.
La description : MOSFET N-CH LFPAK
Séries : TrenchMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 39A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 25.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 1800pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 95W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : LFPAK56, Power-SO8
Paquet / caisse : SC-100, SOT-669
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BUK7 , BUK7Y25

Documents pour BUK7Y25-80E/CX

Feuilles de données : BUK7Y25-80E/CX.pdf

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