IXTA6N100D2 - MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK

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MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour IXTA6N100D2

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : IXTA6N100D2
Fabricant : IXYS
La description : MOSFET N-CH 1000V 6A D2PAK
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id : -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 95nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 25V
Caractéristique FET : Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) : 300W (Tc)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : TO-263 (IXTA)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : IXT , IXTA6

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