BSF045N03MQ3 G - MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2

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MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
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Spécifications pour BSF045N03MQ3 G

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : BSF045N03MQ3 G
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET N-CH 30V 63A WDSON-2
Séries : OptiMOS™
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : N-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18A (Ta), 63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 34nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 15V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquet / caisse : 3-WDSON
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : BSF0 , BSF045N

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Feuilles de données : BSF045N03MQ3 G.pdf

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