EPC2105ENGRT - GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE

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GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour EPC2105ENGRT

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : EPC2105ENGRT
Fabricant : EPC
La description : GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
Séries : eGaN®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Caractéristique FET : GaNFET (Gallium Nitride)
Drain à la tension source (Vdss) : 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 9.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 2.5nC @ 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 300pF @ 40V
Puissance - Max : -
Température de fonctionnement : -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : Die
Package d'appareils du fournisseur : Die
Poids : -
État : Nouveau et original
Liens connexes : EPC2 , EPC210

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Feuilles de données : EPC2105ENGRT.pdf

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