SI3590DV-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
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MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
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Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour SI3590DV-T1-GE3
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SI3590DV-T1-GE3
Fabricant : Vishay Siliconix
La description : MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
Séries : TrenchFET®
Statut de la pièce : Active
Type de FET : N and P-Channel
Caractéristique FET : Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) : 30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 77 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : -
Puissance - Max : 830mW
Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Paquet / caisse : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Package d'appareils du fournisseur : 6-TSOP
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour SI3590DV-T1-GE3
Feuilles de données : SI3590DV-T1-GE3.pdf
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