SPB18P06P - MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Référence fabricant
Numéro de pièce interne
AX-SPB18P06P
Fabricant
Brève description
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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1-2 jours
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9094 Pieces
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Spécifications pour SPB18P06P
Qualité garantie :
365 jours de garantie
Ressource de stock :
Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article :
SPB18P06P
Fabricant :
Infineon Technologies
La description :
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Séries :
SIPMOS®
Statut de la pièce :
Obsolete
Type de FET :
P-Channel
La technologie :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) :
60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C :
18.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs :
28nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds :
860pF @ 25V
Caractéristique FET :
-
Dissipation de puissance (max) :
81.1W (Ta)
Température de fonctionnement :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage :
Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur :
D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids :
-
État :
Nouveau et original
Documents pour SPB18P06P
Feuilles de données :
SPB18P06P.pdf
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CAP CER 5000PF 16KV SCREW. |
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EPCOS (TDK) |
CAP CER 0.022UF 100V X7R RADIAL. |
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