SPB18P06P - MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

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MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
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Spécifications pour SPB18P06P

Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : SPB18P06P
Fabricant : Infineon Technologies
La description : MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK
Séries : SIPMOS®
Statut de la pièce : Obsolete
Type de FET : P-Channel
La technologie : MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) : 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 18.7A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 860pF @ 25V
Caractéristique FET : -
Dissipation de puissance (max) : 81.1W (Ta)
Température de fonctionnement : -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage : Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur : D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Poids : -
État : Nouveau et original
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