DD800S17H4B2BOSA2 - IGBT MODULE VCES 1700V 800A
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IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Statut RoHS
Sans plomb / conforme RoHS
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Spécifications pour DD800S17H4B2BOSA2
Qualité garantie : 365 jours de garantie
Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct
Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Numéro d'article : DD800S17H4B2BOSA2
Fabricant : Infineon Technologies
La description : IGBT MODULE VCES 1700V 800A
Séries : -
Statut de la pièce : Active
Configuration de la diode : 2 Independent
Type de diode : Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) : 1700V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) : -
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si : 2.1V @ 800A
La vitesse : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) : -
Courant - Fuite inverse @ Vr : 900A @ 900V
Température de fonctionnement - Jonction : -40°C ~ 150°C
Type de montage : Chassis Mount
Paquet / caisse : Module
Package d'appareils du fournisseur : AG-IHMB130-1
Poids : -
État : Nouveau et original
Documents pour DD800S17H4B2BOSA2
Feuilles de données : DD800S17H4B2BOSA2.pdf
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