IXFT6N100Q - MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

Référence fabricant

IXFT6N100Q

Numéro de pièce interne

AX-IXFT6N100Q

Fabricant

IXYS

Brève description

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

Statut RoHS

Sans plomb / conforme RoHS

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1-2 jours

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Spécifications pour IXFT6N100Q

Qualité garantie : 365 jours de garantie

Ressource de stock : Distributeur franchisé / fabricant direct

Pays d'origine : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Numéro d'article : IXFT6N100Q

Fabricant : IXYS

La description : MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268

Séries : HiPerFET™

Statut de la pièce : Active

Type de FET : N-Channel

La technologie : MOSFET (Metal Oxide)

Drain à la tension source (Vdss) : 1000V

Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C : 6A (Tc)

Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 Ohm @ 3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 2.5mA

Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs : 48nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds : 2200pF @ 25V

Caractéristique FET : -

Dissipation de puissance (max) : 180W (Tc)

Température de fonctionnement : -55°C ~ 150°C (TJ)

Type de montage : Surface Mount

Package d'appareils du fournisseur : TO-268

Paquet / caisse : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Poids : -

État : Nouveau et original

Liens connexes : IXF , IXFT6

Documents pour IXFT6N100Q

Feuilles de données : IXFT6N100Q.pdf

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